Produktnummer:
AD4S8GSE2666A19
EAN:
Hersteller-Nr.:
M474A1G43EB1-CTD
Hersteller:
SAMSUNG
Produktinformationen "SO-DIMM 8GB Samsung DDR4-2666 CL19 (512Mx8) ECC DR"
M474A1G43EB1-CTD, 260PIN 18C/DS 2R 1,2V Pb-/Halogen-free RoHS PC4-2666
| Kapazität: | 8GB |
|---|---|
| Hersteller: | Samsung |
| Technologie: | DDR4 SDRAM |
| Geschwindigkeit: | DDR4-2666 (PC4-2666) |
| Chiphersteller: | Samsung |
| Chiporganisation: | 512Mx8 |
| RAM-Merkmale: | unbuffered |
| Datenintegritätsprüfung: | ECC |
| Modulmaße: | 67,6 x 30 x 3,8 |
| Formfaktor: | 260pin SO-DIMM |
| Latenzzeit: | CL19 |
| Modulkonfiguration: | Dual Rank |
| Typ: | SO-DIMM |
| Versorgungsspannung: | 1,2 |
| Jedec-Norm: | Jedec Norm |
| ISO9001: | ISO9001 |
| Gewährleistung: | 2 |
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