IC SDRAM DDR4-2666 4Gbit 512Mx8 Samsung 1,2V FBGA-78ball

Produktnummer:
AK4A4G085WE-BCTDTCV
EAN:
Hersteller-Nr.:
K4A4G085WE-BCTDTCV
Hersteller:
SAMSUNG

Preis auf Anfrage

Produktinformationen "IC SDRAM DDR4-2666 4Gbit 512Mx8 Samsung 1,2V FBGA-78ball"
CL19, RoHS Compliant (Lead-Free&Halogen-Free) commercial temperature grade 0°C to +85°C Tape&Reel 2000pcs CV-Bucket - Enhance Test Coverage
Technologie: IC SDRAM DDR4
Kapazität: 4Gbit
Chiphersteller: Samsung
Chiporganisation: 512Mx8
Latenzzeit: CL19
Gehäuse: FBGA-78ball
Geschwindigkeit: 2666 MHz
Versorgungsspannung: 1,2
Applikation: Embedded / Industrial
Temperaturbereich: 0°C to 85°C
RoHS-Konform: Ja
VPE: T&R
Menge: 2000
Gewährleistung: 2

0 von 0 Bewertungen

Geben Sie eine Bewertung ab!

Teilen Sie Ihre Erfahrungen mit dem Produkt mit anderen Kunden.