IC SDRAM DDR3L-1866 4Gbit 512Mx8 Samsung 1,35V FBGA-78ball

Produktnummer:
AK4B4G0846E-BYMA0CV
EAN:
Hersteller-Nr.:
K4B4G0846E-BYMA0CV
Hersteller:
SAMSUNG

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Produktinformationen "IC SDRAM DDR3L-1866 4Gbit 512Mx8 Samsung 1,35V FBGA-78ball"
CL13, RoHS Compliant (Lead-Free&Halogen-Free) commercial temperature grade 0°C to +85°C (95°C) Tray 1280pcs CV-Bucket - Enhance Test Coverage
Technologie: IC SDRAM DDR3
Kapazität: 4Gbit
Chiphersteller: Samsung
Chiporganisation: 256Mx16
Abmessungen: 11.00 X 7.50 X 1.10
Latenzzeit: CL13
Gehäuse: FBGA-78ball
Geschwindigkeit: 1866 MHz
Versorgungsspannung: 1,35 / 1,5
Applikation: Embedded / Industrial
Temperaturbereich: 0°C to 85°C/95
RoHS-Konform: Ja
VPE: Tray
Menge: 1280
Gewährleistung: 2

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