FeRAM: Innovative Alternative zu EEPROM
FeRAM (Ferroelektrischer RAM)
FeRAM (Ferroelektrischer RAM) ist eine Art von nicht-flüchtigem RAM (Random Access Memory). Der FeRAM zeichnet sich durch eine besonders hohe Data-Retention aus, sprich: sogar bei 125°C bleiben die Daten über 10 Jahre erhalten, wenn die Stromzufuhr abbricht.
Namensgebend für ihn ist das ferroelektrische Dielektrikum des Kondensators. Auf dieses werden wir am Ende des Beitrags kurz im Rahmen der Funktionsweise dieser Speichertechnologie eingehen. Zunächst sehen wir uns allerdings die wichtigsten Eigenschaften sowie einige Anwendungsbereiche für die Technologie an.
Inhaltsverzeichnis
Eigenschaften des FeRAM
Einer der Vorteile des FeRAM gegenüber beispielsweise dem DRAM ist, dass er keine Stromversorgung für den Datenerhalt braucht und somit zwischen den Lese- und Schreibprozessen keinen Strom verbraucht. Außerdem ist er kompatibel zu den gängigen EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory), dabei aber zuverlässiger und schneller.
Im Folgenden fassen wir die Hauptmerkmale der Speichertechnologie für Sie zusammen. Aufgrund des relativ hohen Preises von FeRAM ist mindestens eine dieser Eigenschaften unserer Erfahrung nach notwendig, wenn sich in einem Projekt für eine Verwendung des FeRAM entschieden wird.
FeRAM verbraucht beim Schreiben und Löschen weniger Energie als viele andere nicht-flüchtige Speichertechnologien. Dies ist einerseits darauf zurückzuführen, dass FeRAM die Möglichkeit bietet, einzelne Bits unabhängig voneinander zu schreiben, während andere Technologien in der Regel ganze Blöcke (oder Seiten) schreiben. Bei diesen Technologien werden Daten zunächst gesammelt und dann in Blöcken zyklisch geschrieben, um den Stromverbrauch zu minimieren. Der Prozess des Aufweckens (wakeup) und Schreibens eines ganzen Blocks kann relativ langsam sein und daher mehr Energie verbrauchen. Im Vergleich dazu kann FeRAM einzelne Bits im Speicher ablegen, ohne den Aufwand des Blockschreibens, was zu einem schnelleren Schreibprozess und einem geringeren Energieverbrauch führt.
Dieser Unterschied ermöglicht es FeRAM, mit niedrigerem Energieverbrauch häufiger zu schreiben, da es nicht auf den Aufweckprozess und die Blockschreiboperation warten muss. Die Möglichkeit, einzelne Bits zu schreiben, ist eine der Stärken von FeRAM und trägt zu seiner Effizienz und niedrigen Energieanforderungen bei.
FeRAM bietet eine extrem hohe Anzahl von Schreib- und Löschzyklen (bis zu 1013 oder mehr) im Vergleich zu bspw. Flash-Speichern oder EEPROM (typischerweise 103 bis 106). Daraus resultiert eine höhere Lebensdauer des FeRAM. Dies macht ihn ideal für Anwendungen, die häufige Schreibvorgänge erfordern.
Im Gegensatz zu einigen magnetoresistiven Speichertechnologien wie MRAM ist FeRAM gegenüber magnetischen Feldern unempfindlich. Das bedeutet, dass die in FeRAM gespeicherten Informationen bei Exposition gegenüber Magnetfeldern nicht verloren gehen oder beschädigt werden. Insbesondere der medizinische Bereich schätzt am FeRAM zudem seine Immunität gegenüber Röntgen-Strahlung (x-Ray Immunity).
FeRAM verwendet ferroelektrische Materialien (z. B. PZT - Blei-Zirkonat-Titanat) für seine Speicherzellen. Diese Materialien können ihre Polarisation ändern, um Informationen zu speichern, und behalten ihren Zustand auch bei, wenn die Stromversorgung abgeschaltet wird. Mehr dazu finden Sie im Abschnitt “Funktionsweise des FeRAM”.
Anwendungsbereiche für FeRAM
Ein kurzer Hinweis vorab: Ob sich der Einsatz von FeRAM für bestimmte Anwendungen empfiehlt, lässt sich nicht pauschal sagen und hängt immer von einer Vielzahl an applikationsspezifischen Faktoren ab. Mit den folgenden Informationen zur Eignung von FeRAM für verschiedene Anwendungsbereiche möchten wir daher keine Kaufempfehlungen aussprechen, sondern vielmehr die Eigenschaften der Speichertechnologie FeRAM in einen Kontext setzen.
Zusammenfassend zeichnet sich FeRAM durch einen niedrigen Energieverbrauch, die hohe Anzahl von Schreibzyklen, Magnetfeld- sowie Röntgenimmunität, die Verwendung von ferroelektrischem Material und eine einfache Integration aus. Diese Eigenschaften machen FeRAM für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet. Im Folgenden geben wir einige Beispiele.
FeRAM eignet sich gut für industrielle Steuerungssysteme, da er schnell und zuverlässig Daten speichern kann, selbst bei plötzlichen Stromausfällen oder anderen Störungen. Dies trägt zur Verbesserung der Systemleistung und -stabilität bei.
Die Eigenschaften von FeRAM machen es zu einer attraktiven Wahl für zahlreiche Messgeräte, darunter bspw. Wasserzähler. Diese müssen oft aus regulatorischen Gründen über mehrere Jahre hinweg wartungsfrei funktionieren, was bedeutet, dass sie auch ohne Batteriewechsel zuverlässig arbeiten müssen. Hier erweisen sich der geringe Stromverbrauch und die hohe Anzahl an Schreibzyklen, die FeRAM bietet, als besonders vorteilhaft. Zudem erfasst FeRAM in Smart-Meter-Anwendungen große Mengen an Daten, wie zum Beispiel Informationen über den Energieverbrauch. In diesem Kontext ist auch die vergleichsweise hohe Schreibgeschwindigkeit von FeRAM ein wichtiger Faktor.
FeRAM ist oft die bevorzugte Wahl für Anwendungen, bei denen sichergestellt werden muss, dass die letzte Information vor einem unerwarteten Abschalten erhalten bleibt. Dies ist zum Beispiel bei Airbags in Autos oder bei den sogenannten Black Boxes (Flugschreibern) in Flugzeugen der Fall. Die nichtflüchtige Natur des FeRAM bedeutet, dass Daten auch ohne Stromzufuhr gespeichert bleiben, was ihn ideal für solche kritischen Anwendungen macht. Auch wenn es alternative nichtflüchtige Speicherlösungen gibt, bietet FeRAM zusätzliche Vorteile wie eine hohe Schreibgeschwindigkeit und eine große Anzahl an Schreibzyklen, die ihn häufig zur besten Wahl für diese Anwendungen machen.
Im medizinischen Bereich ist FeRAM aufgrund seiner Eigenschaften, einschließlich seiner Immunität gegenüber Röntgenstrahlung, vorteilhaft und bereits häufig im Einsatz. Medizinische Geräte wie Herzschrittmacher und Insulinpumpen nutzen FeRAM, um kritische Patientendaten und Geräteeinstellungen zu speichern. Dabei können die schnellen Schreibgeschwindigkeiten und die lange Lebensdauer von FeRAM die sichere und zuverlässige Speicherung dieser Informationen unterstützen. Darüber hinaus könnten Geräte, die Energy Harvesting verwenden - also ohne Hilfsenergie betrieben werden - vom geringen Energieverbrauch des FeRAM profitieren. Diese Geräte könnten Energie aus Quellen wie Bewegung oder Körpertemperatur gewinnen, und der niedrige Energiebedarf von FeRAM könnte dazu beitragen, dass diese Energie ausreicht, um das Gerät zu betreiben.
Funktionsweise des FeRAM
Im Wesentlichen besteht der FeRAM wie auch der DRAM aus vielen Speicherzellen, die wiederum jeweils aus einem Kondensator und einem Transistor bestehen. Der Kondensator beim FeRAM ist allerdings kein konventioneller Kondensator, sondern ein Kondensator mit ferroelektrischem Dielektrikum, sodass es nicht zu den Leckströmen kommt, die beim DRAM auftreten.
Wodurch wird die Information beim FeRAM gespeichert?Durch das Anlegen eines elektrischen Feldes wird ein unterscheid- und veränderbarer elektrischer Polarisationszustand erreicht. Durch diesen ist die zu speichernde Information auf dem Kondensator gespeichert: wie immer ist er entweder geladen (z.B.: logisch-1) oder entladen (z.B.: logisch-0). Hierbei unterscheidet der FeRAM nicht zwischen Lese- und Schreibprozess. Auch beim Leseprozess geht die zu speichernde Information verloren, sodass der Kondensator neu beschrieben werden muss.
Quellen
- Elektronik-Kompendium (FeRAM - https://www.elektronik-kompendium.de/sites/com/0610041.htm)
- Fujitsu: https://www.fujitsu.com/global/products/devices/semiconductor/memory/FeRAM/
- "Ferroelectric random access memories: Fundamentals and applications" von H. Ishiwara, Y. Fujisaki und H. Yano: https://www.springer.com/gp/book/9783540403963
- "High Temperature Data Retention of Ferroelectric Memory on 130nm and 180nm CMOS," von J. A. Rodriguez et al., doi: 10.1109/IMW.2016.7495274
- Ramtron (jetzt Teil von Cypress Semiconductor): https://www.cypress.com/products/serial-FeRAM
- Wikipedia DE (FeRAM - https://de.wikipedia.org/wiki/Ferroelectric_Random_Access_Memory )
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